安森美半导体发布领先业界的超高电源抑制比(PSRR) LDO稳压器

日期: 2013-11-29
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推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor)日前发布一系列新的超低噪声低压降稳压器(LDO),具有业界最佳的电源抑制比(PSRR),能在噪声敏感的模拟设计中实现更好的性能。新的NCP16x系列,连同其汽车变体元件同时符合AEC-Q100车规的NCV81x,在各类应用中提供更好的性能,如汽车先进驾驶辅助系统(ADAS)图像感测器模组、便携式设备和包含802.11ad WiGig、蓝牙和WLAN的无线应用。


NCP16x系列包含四个输入电压范围从1.9到5.5伏特(V)的元件以支援各种不同的终端应用。输出电流250毫安培(mA)、450 mA和700 mA,采用相同封装,使设计易于扩展。98分贝(dB)的超高PSRR能阻止不想要的电源噪声到达敏感的模拟电路,而6.5微伏(μV)均方根的超低噪声无需额外的输出电容。


新的LDO稳压器具有80毫伏(mV)的低压降,支援和帮助延长电池供电的终端产品的使用寿命。空载静态电流(no-load quiescent current)仅为12微安培(μA),进一步增强此特性。这些元件能提供1.2 V至5.3 V的固定输出电压,在整个应用范围内的精确度为+/-2%。仅1 µF的输入输出电容就可以实现稳定的工作,能降低系统成本和体积。


新元件系列采用一种新的专利架构来实现超高的PSRR性能,并扩展安森美半导体在此领域的领导地位,在宽频率范围(10 kHz至100 kHz)提供高PSRR对于终端应用性能非常重要。例如,在ADAS相机的图像感测器应用中,NCV8163透过滤除电源声来改善图像品质,避免电源噪声损坏施加至像素的电压讯号。在无线应用中,如WiGig 802.11ad,NCP167既具备超高PSRR亦有超低噪声,确保系统的每位元(bit)供电能效能透过提供干净的电源来实现。


安森美半导体资深产品业务总监 Tim Kaske表示:“这一系列新的超低噪音LDO大幅提高PSRR,相较传统的LDO高出 30 分贝(dB)。我们的客户对他们能够以此新产品系列达到的新的性能水准而感到兴奋。LDO仍然是低电流应用的最佳方案,其小体积和现在更高的PSRR性能水准及低噪声,是噪声敏感的射频(RF)和图像感测器应用的理想电源管理方案。举例来说,我们有越来越多的图像感测器参考设计使用此新的LDO系列。安森美半导体提供的整个系统级应用使工程师能够迅速实施现在市场上最高图像品质的感测器方案。”


NCP16x采用TSOP-5、XDFN-4和WLCSP-4封装。其汽车变体元件NCV816x采用TSOP-5和XDFN-4封装。所有元件均适用于现代高密度设计。


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